Infineon Technologies BSP296E6327 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BSP296E6327

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223

Hissə nömrəsi

BSP296E6327

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

SIPMOS®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-261-4, TO-261AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-SOT223-4

Gücün Dağılması (Maks.)

1.79W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.8V @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

364pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 6782 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

BSP220,115

MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223