Infineon Technologies BSS225H6327FTSA1 MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BSS225H6327FTSA1

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Hissə nömrəsi

BSS225H6327FTSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

SIPMOS®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-243AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-SOT89

Gücün Dağılması (Maks.)

1W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

90mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

45 Ohm @ 90mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.3V @ 94µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

131pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 26766 PCS

Əlaqə məlumatı