Infineon Technologies BSZ031NE2LS5ATMA1 MOSFET N-CH 25V 19A 8SON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BSZ031NE2LS5ATMA1

MOSFET N-CH 25V 19A 8SON

Hissə nömrəsi

BSZ031NE2LS5ATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TSDSON-8-FL

Gücün Dağılması (Maks.)

2.1W (Ta), 30W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

25V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

19A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

18.3nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1230pF @ 12V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 20507 PCS

Əlaqə məlumatı