Infineon Technologies IPA50R650CE MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPA50R650CE

MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

Hissə nömrəsi

IPA50R650CE

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO-220-FP

Gücün Dağılması (Maks.)

27.2W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Super Junction

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

500V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6.1A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

342pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

13V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43120 PCS

Əlaqə məlumatı