Infineon Technologies IPA65R125C7XKSA1 MOSFET N-CH 650V TO220-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPA65R125C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V TO220-3

Hissə nömrəsi

IPA65R125C7XKSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™ C7

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO220-FP

Gücün Dağılması (Maks.)

32W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 440µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

35nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1670pF @ 400V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 51477 PCS

Əlaqə məlumatı