Infineon Technologies IPA80R650CEXKSA2 MOSFET N-CH 800V TO-220-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPA80R650CEXKSA2

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

Hissə nömrəsi

IPA80R650CEXKSA2

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220-3F

Gücün Dağılması (Maks.)

33W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

800V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.9V @ 470µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

45nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1100pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 23027 PCS

Əlaqə məlumatı