Infineon Technologies IPB160N04S4LH1ATMA1 MOSFET N-CH TO263-7

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPB160N04S4LH1ATMA1

MOSFET N-CH TO263-7

Hissə nömrəsi

IPB160N04S4LH1ATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO263-7-3

Gücün Dağılması (Maks.)

167W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

160A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.2V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

190nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

14950pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

+20V, -16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 40119 PCS

Əlaqə məlumatı