Infineon Technologies IPB80N06S3L-05 MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IPB80N06S3L-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Hissə nömrəsi

IPB80N06S3L-05

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO263-3-2

Gücün Dağılması (Maks.)

165W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

55V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 69A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.2V @ 115µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

273nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

13060pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

5V, 10V

Vgs (Maks.)

±16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12437 PCS

Əlaqə məlumatı