Infineon Technologies IPD25N06S4L30ATMA1 MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IPD25N06S4L30ATMA1

MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3

Hissə nömrəsi

IPD25N06S4L30ATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Discontinued at Digi-Key

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO252-3-11

Gücün Dağılması (Maks.)

29W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

25A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.2V @ 8µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

16.3nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1220pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 36390 PCS

Əlaqə məlumatı