Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IPD30N03S4L14ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Hissə nömrəsi
IPD30N03S4L14ATMA1
İstehsalçı/Brend
Serial
OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tape & Reel (TR)
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Təchizatçı Cihaz Paketi
PG-TO252-3
Gücün Dağılması (Maks.)
31W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
30V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
13.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
2.2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
14nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
980pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
4.5V, 10V
Vgs (Maks.)
±16V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 49527 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərIPD30N03S4L14ATMA1
IPD30N03S4L14ATMA1 Elektron komponentlər
IPD30N03S4L14ATMA1 Satış
IPD30N03S4L14ATMA1 Təchizatçı
IPD30N03S4L14ATMA1 Distribyutor
IPD30N03S4L14ATMA1 Məlumat cədvəli
IPD30N03S4L14ATMA1 Şəkillər
IPD30N03S4L14ATMA1 Qiymət
IPD30N03S4L14ATMA1 Təklif
IPD30N03S4L14ATMA1 Ən aşağı qiymət
IPD30N03S4L14ATMA1 Axtar
IPD30N03S4L14ATMA1 Satınalma
IPD30N03S4L14ATMA1 Çip