Infineon Technologies IPD60R380E6BTMA1 MOSFET NCH 600V 10.6A TO252

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPD60R380E6BTMA1

MOSFET NCH 600V 10.6A TO252

Hissə nömrəsi

IPD60R380E6BTMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Discontinued at Digi-Key

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 155°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO252-3

Gücün Dağılması (Maks.)

83W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Super Junction

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10.6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

32nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

700pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48924 PCS

Əlaqə məlumatı