Infineon Technologies IPD60R400CEATMA1 MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPD60R400CEATMA1

MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Hissə nömrəsi

IPD60R400CEATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™ CE

Hissə Vəziyyəti

Last Time Buy

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-252-3

Gücün Dağılması (Maks.)

83W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10.3A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

32nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

700pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 23217 PCS

Əlaqə məlumatı