Infineon Technologies IPD75N04S406ATMA1 MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IPD75N04S406ATMA1

MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

Hissə nömrəsi

IPD75N04S406ATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO252-3-313

Gücün Dağılması (Maks.)

58W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

75A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 26µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

32nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2550pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 32831 PCS

Əlaqə məlumatı