Infineon Technologies IPD80R1K4P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IPD80R1K4P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Hissə nömrəsi

IPD80R1K4P7ATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-252

Gücün Dağılması (Maks.)

32W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Super Junction

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

800V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

10nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

250pF @ 500V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 40222 PCS

Əlaqə məlumatı