Infineon Technologies IPG20N06S2L35ATMA1 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPG20N06S2L35ATMA1

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

Hissə nömrəsi

IPG20N06S2L35ATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Güc - Maks

65W

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TDSON-8-4

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

55V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

20A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 27µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

23nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

790pF @ 25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48216 PCS

Əlaqə məlumatı