Infineon Technologies IPI045N10N3GXK MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

IPI045N10N3GXK

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Hissə nömrəsi

IPI045N10N3GXK

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™ 3

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO262-3

Gücün Dağılması (Maks.)

214W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

137A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

117nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

8410pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12210 PCS

Əlaqə məlumatı