Infineon Technologies IPI120N06S4H1AKSA2 MOSFET N-CH TO262-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPI120N06S4H1AKSA2

MOSFET N-CH TO262-3

Hissə nömrəsi

IPI120N06S4H1AKSA2

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO262-3-1

Gücün Dağılması (Maks.)

250W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

270nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

21900pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 6030 PCS

Əlaqə məlumatı