Infineon Technologies IPP12CN10LGXKSA1 MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPP12CN10LGXKSA1

MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3

Hissə nömrəsi

IPP12CN10LGXKSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO-220-3

Gücün Dağılması (Maks.)

125W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

69A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 69A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.4V @ 83µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

58nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

5600pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 10293 PCS

Əlaqə məlumatı