Infineon Technologies IPS04N03LB G MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPS04N03LB G

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Hissə nömrəsi

IPS04N03LB G

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO251-3

Gücün Dağılması (Maks.)

115W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 70µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

40nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

5200pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 6178 PCS

Əlaqə məlumatı