Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IPS65R1K0CEAKMA2

IPS65R1K0CEAKMA2

CONSUMER
Hissə nömrəsi
IPS65R1K0CEAKMA2
İstehsalçı/Brend
Serial
CoolMOS™ CE
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
-
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Through Hole
Paket / Çanta
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Təchizatçı Cihaz Paketi
PG-TO251-3
Gücün Dağılması (Maks.)
68W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
650V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
15.3nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
328pF @ 100V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 28585 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIPS65R1K0CEAKMA2
IPS65R1K0CEAKMA2 Elektron komponentlər
IPS65R1K0CEAKMA2 Satış
IPS65R1K0CEAKMA2 Təchizatçı
IPS65R1K0CEAKMA2 Distribyutor
IPS65R1K0CEAKMA2 Məlumat cədvəli
IPS65R1K0CEAKMA2 Şəkillər
IPS65R1K0CEAKMA2 Qiymət
IPS65R1K0CEAKMA2 Təklif
IPS65R1K0CEAKMA2 Ən aşağı qiymət
IPS65R1K0CEAKMA2 Axtar
IPS65R1K0CEAKMA2 Satınalma
IPS65R1K0CEAKMA2 Çip