Infineon Technologies IPS70R950CEAKMA1 MOSFET NCH 700V 7.4A TO251

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPS70R950CEAKMA1

MOSFET NCH 700V 7.4A TO251

Hissə nömrəsi

IPS70R950CEAKMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO251

Gücün Dağılması (Maks.)

68W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Super Junction

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

700V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

7.4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

950 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

328pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8931 PCS

Əlaqə məlumatı