Infineon Technologies IPW65R110CFD MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPW65R110CFD

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

Hissə nömrəsi

IPW65R110CFD

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO247-3

Gücün Dağılması (Maks.)

277.8W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

31.2A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 1.3mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

118nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3240pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 22643 PCS

Əlaqə məlumatı