Infineon Technologies IRF3703PBF MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRF3703PBF

MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB

Hissə nömrəsi

IRF3703PBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220AB

Gücün Dağılması (Maks.)

3.8W (Ta), 230W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

210A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 76A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

209nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

8250pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

7V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 53212 PCS

Əlaqə məlumatı