Infineon Technologies IRF5801TRPBF MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

Hissə nömrəsi

IRF5801TRPBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Təchizatçı Cihaz Paketi

Micro6™(TSOP-6)

Gücün Dağılması (Maks.)

2W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

600mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 360mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

88pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 34036 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB