Infineon Technologies IRF7106 MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRF7106

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

IRF7106

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

İşləmə temperaturu

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

FET növü

N and P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3A, 2.5A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

25nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

300pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 53725 PCS

Əlaqə məlumatı