Infineon Technologies IRF7601TR MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRF7601TR

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

Hissə nömrəsi

IRF7601TR

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

Micro8™

Gücün Dağılması (Maks.)

1.8W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

5.7A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

650pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.7V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48678 PCS

Əlaqə məlumatı