Infineon Technologies IRF7665S2TR1PBF MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IRF7665S2TR1PBF

MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB

Hissə nömrəsi

IRF7665S2TR1PBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DirectFET™ Isometric SB

Təchizatçı Cihaz Paketi

DIRECTFET SB

Gücün Dağılması (Maks.)

2.4W (Ta), 30W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.1A (Ta), 14.4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

62 mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

13nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

515pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 17667 PCS

Əlaqə məlumatı