Infineon Technologies IRF7799L2TRPBF MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IRF7799L2TRPBF

MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8

Hissə nömrəsi

IRF7799L2TRPBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DirectFET™ Isometric L8

Təchizatçı Cihaz Paketi

DIRECTFET L8

Gücün Dağılması (Maks.)

4.3W (Ta), 125W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

250V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

375A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

38 mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

165nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6714pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 53274 PCS

Əlaqə məlumatı