Infineon Technologies IRF7910TRPBF MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRF7910TRPBF

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

Hissə nömrəsi

IRF7910TRPBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1730pF @ 6V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 22156 PCS

Əlaqə məlumatı