Infineon Technologies IRF8306MTR1PBF MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IRF8306MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

Hissə nömrəsi

IRF8306MTR1PBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DirectFET™ Isometric MX

Təchizatçı Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MX

Gücün Dağılması (Maks.)

2.1W (Ta), 75W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Schottky Diode (Body)

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

23A (Ta), 140A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4110pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 7064 PCS

Əlaqə məlumatı