Infineon Technologies IRF8513TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IRF8513TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

IRF8513TRPBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

1.5W, 2.4W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8A, 11A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

15.5 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

766pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 10337 PCS

Əlaqə məlumatı