Infineon Technologies IRF8915 MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRF8915

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

IRF8915

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8.9A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

18.3 mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

540pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35056 PCS

Əlaqə məlumatı