Infineon Technologies IRFHM3911TRPBF MOSFET N-CH 100V 10A PQFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRFHM3911TRPBF

MOSFET N-CH 100V 10A PQFN

Hissə nömrəsi

IRFHM3911TRPBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PQFN (3x3)

Gücün Dağılması (Maks.)

2.8W (Ta), 29W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.2A (Ta), 20A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

115 mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

26nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

760pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 33693 PCS

Əlaqə məlumatı