Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IRFHM8363TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Hissə nömrəsi

IRFHM8363TR2PBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Güc - Maks

2.7W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

14.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1165pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 32794 PCS

Əlaqə məlumatı