Infineon Technologies IRFR825PBF MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRFR825PBF

MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Hissə nömrəsi

IRFR825PBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Discontinued at Digi-Key

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

D-Pak

Gücün Dağılması (Maks.)

119W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

500V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

34nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1346pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 17844 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IRFR010

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK