Infineon Technologies IRL100HS121 MOSFET N-CH 100V 6PQFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRL100HS121

MOSFET N-CH 100V 6PQFN

Hissə nömrəsi

IRL100HS121

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-VDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-PQFN (2x2)

Gücün Dağılması (Maks.)

11.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.3V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

440pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43677 PCS

Əlaqə məlumatı