Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRLHS6376TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Hissə nömrəsi

IRLHS6376TR2PBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-VDFN Exposed Pad

Güc - Maks

1.5W

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-PQFN (2x2)

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.6A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

63 mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

270pF @ 25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 41310 PCS

Əlaqə məlumatı