Infineon Technologies IRLMS2002GTRPBF MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IRLMS2002GTRPBF

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP

Hissə nömrəsi

IRLMS2002GTRPBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-6

Təchizatçı Cihaz Paketi

Micro6™(SOT23-6)

Gücün Dağılması (Maks.)

2W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6.5A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

22nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1310pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 6097 PCS

Əlaqə məlumatı