Infineon Technologies IRLR3717PBF MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRLR3717PBF

MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

Hissə nömrəsi

IRLR3717PBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

D-Pak

Gücün Dağılması (Maks.)

89W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

31nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2830pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 51867 PCS

Əlaqə məlumatı