Infineon Technologies IRLU120NPBF MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRLU120NPBF

MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK

Hissə nömrəsi

IRLU120NPBF

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

IPAK (TO-251)

Gücün Dağılması (Maks.)

48W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

20nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

440pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

±16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45014 PCS

Əlaqə məlumatı