Infineon Technologies SPB21N50C3ATMA1 MOSFET N-CH 560V 21A TO-263

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SPB21N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 560V 21A TO-263

Hissə nömrəsi

SPB21N50C3ATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO263-3-2

Gücün Dağılması (Maks.)

208W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

560V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 13.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

95nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2400pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 6265 PCS

Əlaqə məlumatı