Infineon Technologies SPP18P06PHXKSA1 MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SPP18P06PHXKSA1

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220

Hissə nömrəsi

SPP18P06PHXKSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

SIPMOS®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO-220-3

Gücün Dağılması (Maks.)

81.1W (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

18.7A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

28nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

860pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 15757 PCS

Əlaqə məlumatı