IXYS Integrated Circuits Division IXDN602SI MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXDN602SI

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

Hissə nömrəsi

IXDN602SI

İstehsalçı/Brend

IXYS Integrated Circuits Division

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Giriş növü

Non-Inverting

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOIC-EP

Gərginlik - Təchizat

4.5 V ~ 35 V

Kanal Tipi

Independent

İdarəetmə Konfiqurasiyası

Low-Side

Sürücülərin sayı

Qapı Tipi

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Məntiq gərginliyi - VIL, VIH

0.8V, 3V

Cari - Pik Çıxış (Mənbə, Sink)

2A, 2A

Yüksək yan gərginlik - Maks (Bootstrap)

Yüksəlmə / Payız vaxtı (tip)

7.5ns, 6.5ns

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 37351 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXDN402PI

IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP