IXYS IXFA22N60P3 MOSFET N-CH

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXFA22N60P3

MOSFET N-CH

Hissə nömrəsi

IXFA22N60P3

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

HiPerFET™, Polar3™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-263AA

Gücün Dağılması (Maks.)

500W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

22A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

38nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2600pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 13140 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXFA102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK