Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXFA4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Hissə nömrəsi
IXFA4N100Q
İstehsalçı/Brend
Serial
HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-263 (IXFA)
Gücün Dağılması (Maks.)
150W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1000V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
39nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
1050pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 39509 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərIXFA4N100Q
IXFA4N100Q Elektron komponentlər
IXFA4N100Q Satış
IXFA4N100Q Təchizatçı
IXFA4N100Q Distribyutor
IXFA4N100Q Məlumat cədvəli
IXFA4N100Q Şəkillər
IXFA4N100Q Qiymət
IXFA4N100Q Təklif
IXFA4N100Q Ən aşağı qiymət
IXFA4N100Q Axtar
IXFA4N100Q Satınalma
IXFA4N100Q Çip