Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXFH8N80

IXFH8N80

MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
Hissə nömrəsi
IXFH8N80
İstehsalçı/Brend
Serial
HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Through Hole
Paket / Çanta
TO-247-3
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-247AD (IXFH)
Gücün Dağılması (Maks.)
180W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
800V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
130nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
2600pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 54365 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIXFH8N80
IXFH8N80 Elektron komponentlər
IXFH8N80 Satış
IXFH8N80 Təchizatçı
IXFH8N80 Distribyutor
IXFH8N80 Məlumat cədvəli
IXFH8N80 Şəkillər
IXFH8N80 Qiymət
IXFH8N80 Təklif
IXFH8N80 Ən aşağı qiymət
IXFH8N80 Axtar
IXFH8N80 Satınalma
IXFH8N80 Çip