Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXFM35N30

IXFM35N30

POWER MOSFET TO-3
Hissə nömrəsi
IXFM35N30
İstehsalçı/Brend
Serial
HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti
Last Time Buy
Qablaşdırma
-
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Through Hole
Paket / Çanta
TO-204AE
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-204AE
Gücün Dağılması (Maks.)
300W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
300V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
200nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
4800pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 54116 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIXFM35N30
IXFM35N30 Elektron komponentlər
IXFM35N30 Satış
IXFM35N30 Təchizatçı
IXFM35N30 Distribyutor
IXFM35N30 Məlumat cədvəli
IXFM35N30 Şəkillər
IXFM35N30 Qiymət
IXFM35N30 Təklif
IXFM35N30 Ən aşağı qiymət
IXFM35N30 Axtar
IXFM35N30 Satınalma
IXFM35N30 Çip