Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXFR30N110P

IXFR30N110P

MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
Hissə nömrəsi
IXFR30N110P
İstehsalçı/Brend
Serial
HiPerFET™, PolarP2™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Through Hole
Paket / Çanta
ISOPLUS247™
Təchizatçı Cihaz Paketi
ISOPLUS247™
Gücün Dağılması (Maks.)
320W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1100V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
235nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
13600pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±30V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 17495 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIXFR30N110P
IXFR30N110P Elektron komponentlər
IXFR30N110P Satış
IXFR30N110P Təchizatçı
IXFR30N110P Distribyutor
IXFR30N110P Məlumat cədvəli
IXFR30N110P Şəkillər
IXFR30N110P Qiymət
IXFR30N110P Təklif
IXFR30N110P Ən aşağı qiymət
IXFR30N110P Axtar
IXFR30N110P Satınalma
IXFR30N110P Çip