Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXFT23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Hissə nömrəsi
IXFT23N60Q
İstehsalçı/Brend
Serial
HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Bulk
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-268
Gücün Dağılması (Maks.)
400W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
600V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
90nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
3300pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±30V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 34757 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərIXFT23N60Q
IXFT23N60Q Elektron komponentlər
IXFT23N60Q Satış
IXFT23N60Q Təchizatçı
IXFT23N60Q Distribyutor
IXFT23N60Q Məlumat cədvəli
IXFT23N60Q Şəkillər
IXFT23N60Q Qiymət
IXFT23N60Q Təklif
IXFT23N60Q Ən aşağı qiymət
IXFT23N60Q Axtar
IXFT23N60Q Satınalma
IXFT23N60Q Çip