Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXFT30N50
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
Hissə nömrəsi
IXFT30N50
İstehsalçı/Brend
Serial
HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-268
Gücün Dağılması (Maks.)
360W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
500V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
300nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
5700pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 44236 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərIXFT30N50
IXFT30N50 Elektron komponentlər
IXFT30N50 Satış
IXFT30N50 Təchizatçı
IXFT30N50 Distribyutor
IXFT30N50 Məlumat cədvəli
IXFT30N50 Şəkillər
IXFT30N50 Qiymət
IXFT30N50 Təklif
IXFT30N50 Ən aşağı qiymət
IXFT30N50 Axtar
IXFT30N50 Satınalma
IXFT30N50 Çip